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Un partenariat technologique Exagan-Hirex vise à réduire le coût des onduleurs

La jeune pousse grenobloise Exagan, qui innove dans les composants de puissance avec une technologie de nitrure de gallium (GaN) sur silicium, vient de signer un accord de partenariat stratégique avec Hirex Engineering afin d’établir la fiabilité de sa technologie en vue de son intégration, par exemple dans des onduleurs pour le photovoltaïque ou dans l’électronique de puissance associée aux panneaux solaires où elle apporte un triple avantage de coût, d’efficacité et de compacité*.

Exagan-100516Initialement créée en 1993 à Toulouse, la société Hirex Engineering spécialisée dans le test et la qualification de circuits intégrés et de semiconducteurs discrets est passée dans le giron d’Alter Technology (division aéronautique et électronique du groupe TÜV Nord) en 2007.

Avec Exagan, l’objectif consistera à tester et qualifier des composants GaN, en l’occurrence des transistors G-FET qui se distinguent par une vitesse de commutation élevée, destinés aux convertisseurs de puissance notamment pour le solaire, l’automobile et les communications sans fil, et à faciliter leur utilisation.

La technologie GaN d’Exagan est susceptible d’améliorer la compétitivité de l’énergie solaire grâce à des composants de moindre coût que ceux obtenus avec les autres technologies en vigueur. Les onduleurs, micro-onduleurs, optimiseurs et systèmes de conversion intégrant des dispositifs de plus faible puissance à base de composants GaN devraient en outre assurer de meilleurs rendements, une installation plus simple et une maintenance réduite. A un autre niveau, des convertisseurs opérant à plus haute fréquence (jusqu’à trois fois plus élevée que celle des micro-onduleurs actuels) à base de composants GaN peut réduire de façon significative, jusqu’à plus de 30%, le coût des produits et, in fine, tirer le déploiement du solaire. Enfin, les composants GaN affichent une température opérationnelle plus élevée que ceux de la filière silicium classique, ce qui contribue à réduire voire à supprimer le coût de dispositifs additionnels pour le refroidissement.

Créée en 2014, la startup Exagan concrétise donc une troisième alliance en un an. Elle a déjà signé un accord de coopération avec le CEA-Leti (dont Exagan est d’ailleurs un essaimage, ainsi que de Soitec) qui a pour objectif d’accélérer sa feuille de route pour l’intégration de la technologie GaN sur silicium ainsi qu’avec le fondeur X-Fab pour mettre au point le procédé d’industrialisation des composants GaN sur silicium sur des tranches de 200 mm. Un premier tour de table lui a permis de lever 5,7 millions d’euros l’an passé.

L’accord avec Hirex a été signé lors de la manifestation spécialisée PCIM Europe qui se tient cette semaine à Nuremberg, en Allemagne.

*Pour en savoir plus, cliquer ici

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